65納米製程

65納米製程是半導體製造製程的一個技術水平。至2007年，英特爾、AMD、IBM、聯華電子、特許半導體和台積電等公司已有能力進行65納米製程的量產^[1]。

當製程進入65納米之時，用於進行光刻的光的波長是193納米和248納米。具有低於光波波長的製造廠要求使用一些特殊技術，比如光學鄰近校正和相位移掩膜板技術。此外，12英寸晶圓在此製程開始成為主流。

具有65納米製程的產品

Intel 奔騰4/奔騰D 2006年1月
Intel 酷睿2(Conroe、Conroe XE、Merom、Kentsfield)
AMD Athlon 64系列（始於Lima） 2007年2月
nVIDIA GeForce 8 （部份系列）、GeForce 9（部份系列）、GeForce 100（部份系列）、GeForce 200（2008年6月，部份系列）

先前 90納米製程	半導體器件製造製程	其後 45納米製程

半導體器件製造

金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
電晶體數量互補式金屬氧化物半導體半導體器件（多閘極電晶體）摩爾定律電晶體數量半導體半導體產業納電子學
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