尔必达存储器
（重定向自爾必達）
| 美光日本 | |
|---|---|
| Micron Memory Japan | |
 1999－2012年  2012年至今 | |
| 公司类型 | 子公司 |
| ISIN | JP3167640006 |
| 成立 | 1999年12月20日 |
| 代表人物 | 木下嘉隆（社长） |
| 总部 |  日本东京都中央区八重洲2丁目2番1号 |
| 产业 | 半导体产业 |
| 产品 | DRAM |
| 所有权者 | 美光科技 |
| 母公司 | 美光公司 |
| 网站 | Micron Technology, Inc. |
尔必达（英语：Elpida Memory, Inc.）是一间日本内存公司，成立于1999年，由日立和NEC的内存部门合并而成，拥有30nm制程的广岛制造厂以及在台湾的合资企业瑞晶电子。
尔必达在2012年2月破产，同年5月8日，已申请破产保护的尔必达（Elpida）公布其第二轮竞标结果，将与美光（Micron）合并。
2013年7月31日，美国美光科技宣布，已经完成20亿美元收购日本尔必达公司的交易[1]。
历史[编辑]
- 1999年12月20日，NEC日立内存公司成立。
- 2000年5月，NEC日立内存改为尔必达内存公司。
- 2003年3月，合并了三菱电机的内存制造部门。
- 2003年8月，尔必达内存公司接受金士顿科技约60亿日圆入股。
- 2004年11月，在日本东京证券交易所上市挂牌交易。
- 2006年5月，尔必达内存公司公布的财报显示尔必达年度销售收入达到2415亿日圆，全球雇员人数3196人。
- 2010年4月3日，尔必达内存公司接受金士顿科技185亿日圆入股。
- 2010年4月22日，尔必达内存公司全球首发采用低功耗40nm技术的4GB DDR3 SDRAM内存颗粒，该技术相比传统技术内存在功耗上降低达到30%，同时尔必达内存公司宣布将拓展Flash Nand快闪存储器（闪存）产品。
- 2010年9月2日，尔必达内存公司宣布，与美国飞索半导体（Spansion）合作，研发成功全球首款电荷捕获型4GB SLC NAND快闪存储器（闪存），读取速度较传统浮动栅极型技术快闪存储器（闪存）快一倍，写入速度快15%。
- 2011年2月25日，尔必达在台湾证券交易所挂牌发行台湾存托凭证（代码为916665.TW），为该交易所第一个日商公司TDR。
- 2012年2月27日，尔必达向东京地方法院申请破产保护。日本共同通讯社报导，尔必达的负债达到4810亿日圆。[2]
- 2012年3月28日，尔必达在东京证券交易所摘牌。[3]
- 2012年3月28日，尔必达在台湾证券交易所挂牌发行的台湾存托凭证下市。
- 2012年5月8日，尔必达公布其第二轮竞标结果，由美光科技（Micron）收购。
- 2014年2月28日，尔必达改为美光内存日本（Micron Memory Japan）。
参见[编辑]
参考[编辑]
- ^ 美光20亿美元吞并尔必达移动存储巨头诞生. [2015-01-06]. （原始内容存档于2015-01-06）.
- ^ 日本芯片巨头尔必达申请破产保护. [2015-01-06]. （原始内容存档于2015-01-06）.
- ^ 日本尔必达破产牵动全球内存版图. [2015-01-06]. （原始内容存档于2015-01-06）.
外部链接[编辑]
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