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三氧化二铽

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三氧化二铽
IUPAC名
terbium(III) oxide
别名 氧化铽(III)
倍半氧化铽
识别
CAS号 12036-41-8  checkY
PubChem 159410
SMILES
 
  • [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3]
InChI
 
  • 1/3O.2Tb/q3*-2;2*+3
EINECS 234-849-5
性质
化学式 O3Tb2
摩尔质量 365.85 g·mol−1
外观 白色粉末
密度 7.91 g/cm3
熔点 2410 °C(2683 K)
结构
晶体结构 立方cI80
空间群 Ia-3, No. 206[1]
危险性
欧盟危险性符号
刺激性刺激性 Xi
警示术语 R:R36/37/38
安全术语 S:S26-S36
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

三氧化二铽,化学式Tb2O3

性质

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白色粉末。与其他主要镧系氧化物类似,三氧化二铽有两种晶体结构。较稳定的一种结构是缺陷萤石型结构(方铁锰矿英语Bixbyite结构),晶格参数 a = 10.72 Å。[2] 另一种结构则为单斜晶系,可在熔融氧化铽氧化镁结晶时生成。[3]

三氧化二铽用掺杂后是一种p型半导体[4]

制备

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单质与氧气化合时产生七氧化四铽,因此三氧化二铽不能通过单质化合来制备。它一般是通过用氢气还原七氧化四铽而制得(1300°C,24小时[5])。[6]

用途

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纯三氧化二铽的用途很少。它可用作制取七氧化四铽的原料。

参考资料

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  1. ^ Curzon A.E., Chlebek H.G. The observation of face centred cubic Gd, Tb, Dy, Ho, Er and Tm in the form of thin films and their oxidation. J. Phys. F. 1973, 3 (1): 1–5. doi:10.1088/0305-4608/3/1/009. 
  2. ^ N. C. Baenzinger, H. A. Eick, H. S. Schuldt, L. Eyring: Terbium Oxides. III. X-Ray Diffraction Studies of Several Stable Phases. In: Journal of the American Chemical Society, 1961, 83, 10, S. 2219-23.
  3. ^ E. Hubbert-Paletta, Hk. Müller-Buschbaum: Röntgenographische Untersuchung an Einkristallen von monoklinem Tb2O3. In: Zeitschrift fiir anorganische und allgemeine Chemie, 1968, 363, S. 145-150, doi:10.1002/zaac.19683630306.
  4. ^ Reidar Haugsrud, Yngve Larring, and Truls Norby. Proton conductivity of Ca-doped Tb
    2
    O
    3
    . Solid State Ionics (Elsevier B.V.). December 2005, 176 (39–40): 2957–2961. doi:10.1016/j.ssi.2005.09.030.
     
  5. ^ G. J. McCarthy. Crystal data on C-type terbium sesquioxide (Tb
    2
    O
    3
    ). Journal of Applied Crystallography. October 1971, 4 (5): 399–400. doi:10.1107/S0021889871007295.
     
  6. ^ N. N. Greenwood, A. Earnshaw: Chemie der Elemente. 1. Auflage, VCH Verlagsgesellschaft, 1988, ISBN 3-527-26169-9.