討論:金屬氧化物半導體場效電晶體
 | 金屬氧化物半導體場效電晶體曾屬優良條目，但已撤銷資格。下方條目里程碑的連結中可了解撤銷資格的詳細原因及改善建議。條目照建議改善而重新符合標準後可再次提名評選。 | |||||||||||||||||||||
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金屬氧化物半導體場效電晶體屬於維基百科科技主題的基礎條目第五級。請勇於更新頁面以及改進條目。 本條目頁依照頁面品質評定標準被評為甲級。 本條目頁屬於下列維基專題範疇： |
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條目評選[編輯]
新條目推薦[編輯]
優良條目評選[編輯]
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優良條目重審[編輯]
金屬氧化物半導體場效電晶體（編輯 | 討論 | 歷史 | 連結 | 監視 | 日誌），分類：沒有找到，提名人：思源如寧
- (＋)支持：提名人票。全文無一處對於參考資料——思源如寧 2010年9月1日 (三) 13:26 (UTC)
- (＋)支持：同提名人，此外，目前在優良條目重審裡，有很多都是因為這種情形才被提報重審！--海藻腦袋～YA！※動員令 2010年9月2日 (四) 09:07 (UTC)
- (＋)支持，有部分無故粗體，不少段落欠缺維基化。—ATRTC 2010年9月2日 (四) 10:25 (UTC)
- (＋)支持，缺乏腳註-VVM (留言) 2010年9月3日 (五) 03:22 (UTC)
- (－)反對，腳註並非唯一來源標示，參考資料亦可支撐條目。－ Enco 安可 酒吧聊天 發表於 2010年9月3日 (五) 13:10 (UTC)
- (：)回應：誠懇的(＆)建議閣下詳讀優良條目標準在下定論，感謝。--海藻腦袋～YA！※動員令 2010年9月3日 (五) 13:17 (UTC)
- (：)回應：「參考資料亦可支撐條目」這藉口僅能用來消極地規避來源質疑，優良條目標準有明確的「引用規範」。即便非優良條目審查，個人都不建議一般寫作條目時循此低標模糊引用來源。— WiDE 懷德 留言 2010年9月4日 (六) 10:28 (UTC)
- (：)回應請各位是否有仔細看過此條目內容，優良條目標準：「資訊來源必須可以驗證。內容必須令人信服、符合可驗證性，並具有高質素的引用連結。必須有引用來源，但內文注釋來源並非必須。」該條目內容全面。亦有包括了該主題的大部份主要資訊及觀點。對其要求應該較特色條目的為低，並可容許較短的條目與非常廣泛的簡介。 而且本條目通俗明瞭，即使是外行人也能看懂，術語亦有有解釋；較長的條目也有有摘要性引言，幫助讀者瞭解其內容梗概；敘述亦準確，意涵亦無有爭議；行文也 合規範。觀點必須為中性。也有包括圖像以解釋內文。本篇除了未附上來源註腳之外並有些維基化等小瑕疵之外，說真的看不初有什麼不符合WP:優良條目標準地方?強烈要求請勿將優良條目視同特色條目評審！-- Enco 安可 酒吧聊天 發表於 2010年9月4日 (六) 13:33 (UTC)
- (＋)支持，理由同意見。— WiDE 懷德 留言 2010年9月4日 (六) 10:32 (UTC)
- (－)反對大量提交。－HW (留言 - 貢獻) DC8 2010年9月5日 (日) 03:31 (UTC)
- (＋)支持大量篇幅無腳註。--蘋果派.留言 2010年9月5日 (日) 08:31 (UTC)
- (＋)支持如果參考網站和內部連結能更多的話就好了敗北王克拉克 (留言) 2010年9月5日 (日) 11:57 (UTC)
- (－)反對，根本是對優良條目的大屠殺。－ArikamaI 決戰維基邊緣的戰士（謝絕廢話） 2010年9月5日 (日) 12:42 (UTC)
優良條目重審（第二次）[編輯]
金屬氧化物半導體場效電晶體（編輯 | 討論 | 歷史 | 連結 | 監視 | 日誌），分類：電腦資訊 - 電子學，提名人：CHEM.is.TRY 2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC)
- 投票期：2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC) 至 2012年9月12日 (三) 13:29 (UTC)
- (＋)支持：提名人票。無腳註，且有些語句不通順。--CHEM.is.TRY 2012年9月5日 (三) 13:29 (UTC)
- (＋)支持：達不到今日的要求了。--茶壺（留言） 2012年9月5日 (三) 14:13 (UTC)
- (＋)支持：有維護模板-症候群與一萬年（留言） 2012年9月5日 (三) 22:33 (UTC)
- (＋)支持：無可查詢參考文獻--B2322858（留言） 2012年9月6日 (四) 12:59 (UTC)
- (＋)支持：缺乏腳註。--Alexchris（留言） 2012年9月6日 (四) 14:58 (UTC)
- (＋)支持：無腳註必須剔除。-- 豆腐daveduv留言 2012年9月7日 (五) 05:20 (UTC)
撤銷：6支持，0反對。--茶壺（留言） 2012年9月12日 (三) 14:39 (UTC)
三個名詞修訂[編輯]
對於大陸的簡體學術名詞來說
場效電晶體應該是 -- 場效應電晶體 (FET)
閘極應該是 -- 柵極 (Gate)
空乏層 其中空乏 應該是 -- 耗盡層（depletion layer）
另外多晶矽空乏不知道指什麼，我從未學到過類似多晶矽耗盡的概念，懷疑是襯底耗盡概念的筆誤。
因為不敢亂改優良條目，所以把意見放在這裡。
--綿羊 07:26 2006年12月15日 (UTC)
我在創建這個條目時，使用的譯名皆為台灣慣用的譯法 (事實上在台灣，無論是學校或是產業界，都很少用中文稱呼這些東西，而慣以英文原名稱之，簡單又不會引起爭議)。若是大陸有其他用法，我認為可以並存。--LeviLee 06:45 2006年12月28日 (UTC)
是否應在在文中使用簡稱[編輯]
金屬氧化物半導體場效電晶體這個名詞實在有點長了，如果每次都寫這麼長的名字人要瘋了的。我覺得本文標題可以保持不變，文章內容應該可以使用「MOSFET」或者「MOS管」兩者之一（大陸課本上都是這麼用的），可以減輕閱讀負擔。大家覺得呢？尤其是使用繁體的朋友們。--Alexander Misel（留言） 2014年12月23日 (二) 14:11 (UTC)
外部連結已修改[編輯]
各位維基人：
我剛剛修改了金屬氧化物半導體場效電晶體中的1個外部連結，請大家仔細檢查我的編輯。如果您有疑問，或者需要讓機器人忽略某個連結甚至整個頁面，請訪問這個簡單的FAQ獲取更多信息。我進行了以下修改：
- 向 http://www-device.eecs.berkeley.edu/bsim/Files/BSIMCMG/BSIMCMG106.0.0/BSIMCMG106.0.0_TechnicalManual_20120313.pdf 中加入存檔連結 https://web.archive.org/web/20140727084407/http://www-device.eecs.berkeley.edu/bsim/Files/BSIMCMG/BSIMCMG106.0.0/BSIMCMG106.0.0_TechnicalManual_20120313.pdf
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