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江崎玲於奈

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江崎玲於奈Nobel prize medal.svg
江崎 玲於奈(えさき れおな)
Leo Esaki 1959.jpg
出生 (1925-03-12) 1925年3月12日(92歲)
大日本帝國大阪府中河内郡高井田村(現東大阪市
居住地 日本
国籍  日本
研究領域 半導體物理學
凝態物理
机构 川西機械製作所日语川西機械製作所
IBM
筑波大學
芝浦工業大學
横濱藥科大學日语横浜薬科大学
母校 東京帝國大學
知名于 江崎二极管
量子穿隧效應
著名獎項 仁科芳雄獎(1959)
日本學士院獎(1965)
Nobel prize medal.svg 諾貝爾物理學獎(1973)
文化勳章(1974)
IEEE榮譽獎章(1991)
日本國際獎(1998)
勲一等旭日大綬章(1998)
日語寫法
日語原文 江崎 玲於奈
假名 えさき れおな
平文式罗马字 Esaki Reona

江崎玲於奈(日语:江崎 玲於奈えさき れおな Esaki Reona ?,1925年3月12日),羅馬拼音Leo Esakiレオ・エサキ),日本物理学家美國國家科學院美國國家工程院俄羅斯科學院外籍院士。日本學士院會員。現任横濱藥科大學日语横浜薬科大学校長。文化勳章勲一等旭日大綬章表彰。

江崎是诺贝尔物理学奖(1973年)暨IEEE榮譽獎章(1991年)雙料得主。他藉由穿隧效應發明了江崎二極體(又稱穿隧效應二極體,與東京通信工業株式會社合作完成),此外也是超晶格研究的先驅(與IBM合作)。

早年生活與教育[编辑]

江崎玲於奈在1925年出生於日本大阪中河内郡日语中河内郡高井田村(現在的東大阪市),成長於京都。江崎家毗鄰京都帝國大學同志社大學校園,父親江崎壯一郎是一位建築師,哥哥是畢業於京都帝大的鐵道工程師。他在同志社中學首次接觸基督教美國文化,從第三高等學校畢業後考入東京帝國大學學習物理學。他曾於1944年10月在東大參加湯川秀樹開設的核子理論課。當時也曾親歷東京大轟炸

江崎分別在1947年、1959年獲得東京大學學士、博士學位。

職業生涯[编辑]

江崎二極體[编辑]

江崎二極體,旁邊的跳線是比例尺
1959年在Sony工作的江崎玲於奈

江崎玲於奈在大學畢業後進入川西機械製作所(現富士通天)工作,起初進行由真空管的陰極放出熱電子的研究工作,因受到約翰·巴丁沃爾特·布喇頓威廉·肖克利發明電晶體的鼓舞,他轉而研究重摻雜的。1956年轉入東京通信工業株式会社(現Sony)擔任半導体研究室主任研究員,進行PN結二極體研究。經過一年的嘗試後得知,每當鍺的PN結寬度變薄時,穿隧效應就會影響電流 - 電壓之特性,隨著電壓增加,電流反而減小,這說明了負電阻。此一發現是物理學中首次出現的固體穿隧效應,也是電子學中的一個新型電子器件:江崎二極體(或稱隧道二極體)的誕生。由於此一突破性發明,1959年他獲得了東大博士學位。

江崎在1973年因「發現半導體和超導體的穿隧效應」[1],與挪威物理学家伊瓦爾·賈埃弗英國物理学家布賴恩·約瑟夫森共同获得诺贝尔物理学奖。基於頒獎典禮的排序,江崎成為世界第一位從卡尔十六世·古斯塔夫國王手中接過諾貝爾獎獎章、獎狀的諾貝爾獎得主。2015年3月,日本茨城吾妻日语吾妻 (つくば市)2丁目的中央公園設置了江崎、小林诚朝永振一郎的銅像,以彰顯3位諾貝爾物理學獎得主的功績[2]

超晶格[编辑]

江崎玲於奈在1960年移居美國,加入IBM湯瑪斯·華森研究中心英语Thomas J. Watson Research Center,然後在1967年成為IBM院士。他預測,如果半導體晶體中人為地構建一維周期性結構變化,將可形成半導體超晶格,並引起諸如差分負電阻效應等獨特現象。他開發了名為「分子束外延」的薄膜晶體生長方法,可以在超高真空中相當精確地調節。他的第一篇關於半導體超晶格的論文發表於IBM時期的1970年,他在1987年曾對這篇原始論文提出如下的註釋[3]

“《物理評論》評審因缺乏想像力而拒絕出版原始論文,認為該論文太過投機性,沒有嶄新的物理思想。” 然而,這個想法很快就被美國陸軍研究辦公室所接受[4]

1972年,江崎在III-V族半導體中實現了他的超晶格概念,後來這個概念影響了許多領域,如金屬磁性材料。他因“對隧道、半導體超晶格和量子井的貢獻和領導”榮獲1991年IEEE榮譽獎章[5],也因“創造和實現人造超晶格晶體的概念,致發新材料的生成與有效的應用”榮獲1998年日本國際獎[6]赤崎勇天野浩中村修二獲得2014年諾貝爾物理學獎後,江崎翌日(10月8日)與赤崎進行電話會談,他們討論了彼此發明的社會影響力,也提到「日本人特有的毅力」是成功的重要原因[7]。2015年5月3日,中村在與JAXA負責人川口淳一郎日语川口淳一郎的對談中自稱「尤其尊敬的人物」是江崎。江崎發明的超晶格對LED至為重要[8]

返國後的活動[编辑]

江崎玲於奈在1992年返國擔任筑波大學校長(至1998年),2000年擔任一屆芝浦工業大學校長,並應首相之邀加入教育改革國民會議日语教育改革国民会議。2003年擔任奈米技術科學獎「江崎玲於奈獎日语江崎玲於奈賞」的選考委員。2006年以來擔任横濱藥科大學日语横浜薬科大学的校長。

榮譽[编辑]

所屬科學院[编辑]

軼事[编辑]

江崎玲於奈是少數不以日語羅馬化作為外語姓名的日本人。他新起「Leo」一名取代日語原名的「Reona」(玲於奈)。亦即,在漢字系統以外,通行「Leo Esaki」此一姓名。

參考[编辑]

文獻[编辑]

  • Large scale integrated circuits technology : state of the art and prospects : proceedings of the NATO Advanced Study Institute on "Large Scale Integrated Circuits Technology: State of the Art and Prospects," Erice, Italy, July 15–27, 1981 / edited by Leo Esaki and Giovanni Soncini (1982)
  • Highlights in condensed matter physics and future prospects / edited by Leo Esaki (1991)
  • 「時代の証言者」江崎玲於奈,讀賣新聞
  • 「真空管から半導体への“トンネル”の思い出」江崎玲於奈,『日本の物理学史』 pp. 478-496

參見[编辑]

外部連結[编辑]

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