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羅伯特·丹納德

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羅伯特·海思·丹納德
Robert H. Dennard
羅伯特·海思·丹納德博士,IBM院士,圖中背後圖形為動態隨機存取記憶體(DRAM)記憶單元的電路圖
出生(1932-09-05)1932年9月5日
 美国德克薩斯州特雷爾英语Terrell, Texas
逝世2024年4月23日(2024歲—04—23)(91歲)
 美国紐約州哈德逊河畔克罗顿
国籍 美国
母校南方衛理公會大學
卡內基技術學院
知名于動態隨機存取記憶體(DRAM)
奖项哈維獎(1990)
IEEE愛迪生獎章(2001)
IEEE榮譽獎章(2009)
科学生涯
研究领域電機工程
机构IBM

羅伯特·海思·丹納德(英語:Robert Heath Dennard,1932年9月5日—2024年4月23日),生於美國德克薩斯州特雷爾英语Terrell, Texas,電機工程師與發明家,為動態隨機存取記憶體(DRAM)的發明者。

生平

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1954年,於達拉斯南方衛理公會大學取得電機工程學士,1956年取得碩士學位。1958年,於卡內基技術學院卡内基梅隆大學的前身)取得博士學位。畢業後,進入IBM工作。

1968年,發明動態隨機存取記憶體(DRAM)。1970年代與1980年代,投入MOSFET的微縮方程式(scaling equations)研發。

榮譽

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2013年,獲得日本京都賞先進技術獎。

外部連結

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  • (英文)Robert Dennard, Inventor of the Week (Archive), MIT, [2013-09-04], (原始内容存档于2003-04-15) .
  • (英文)Robert H Dennard, Legacies (Bio), IEEE, [2013-09-04], (原始内容存档于2014-11-21) .