罗伯特·丹纳德

罗伯特·海思·丹纳德 Robert H. Dennard
罗伯特·海思·丹纳德博士，IBM院士，图中背后图形为动态随机存取记忆体（DRAM）记忆单元的电路图
出生	(1932-09-05)1932年9月5日 美国德克萨斯州特雷尔
逝世	2024年4月23日(2024岁—04—23)（91岁） 美国纽约州哈德逊河畔克罗顿
国籍	美国
母校	南方卫理公会大学 卡内基技术学院
知名于	动态随机存取记忆体（DRAM）
奖项	哈维奖（1990） IEEE爱迪生奖章（2001） IEEE荣誉奖章（2009）
科学生涯
研究领域	电机工程
机构	IBM

罗伯特·海思·丹纳德（英语：Robert Heath Dennard，1932年9月5日—2024年4月23日），生于美国德克萨斯州特雷尔，电机工程师与发明家，为动态随机存取记忆体（DRAM）的发明者。

生平

1954年，于达拉斯南方卫理公会大学取得电机工程学士，1956年取得硕士学位。1958年，于卡内基技术学院（卡内基梅隆大学的前身）取得博士学位。毕业后，进入IBM工作。

1968年，发明动态随机存取记忆体（DRAM）。1970年代与1980年代，投入MOSFET的微缩方程式（scaling equations）研发。

荣誉

2013年，获得日本京都赏先进技术奖。

外部链接

• （英文）Robert Dennard, Inventor of the Week (Archive), MIT, [2013-09-04], （原始内容存档于2003-04-15） .
• （英文）Robert H Dennard, Legacies (Bio), IEEE, [2013-09-04], （原始内容存档于2014-11-21） .