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半導體器件製造

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NASA的Glenn研發中心無塵室

半導體器件製造是被用於製造晶片,一種日常使用的電氣電子器件中積體電路的處理製程。它是一系列照相和化學處理步驟,在其中電子電路逐漸形成在使用純半導體材料製作的晶片上。

是今天最常用的半導體材料,其他還有各種複合半導體材料。

從一開始晶圓加工,到晶片封裝測試,直到發貨,通常需要6到8周,並且是在晶圓廠內完成。

國際半導體技術發展藍圖

Half-shrink
主節點 半節點
250 nm 220 nm
180 nm 150 nm
130 nm 110 nm
90 nm 80 nm
65 nm 55 nm
45 nm 40 nm
32 nm 28 nm
22 nm 20 nm
14 nm 16 nm
10 nm 11 nm

晶圓[編輯]

典型的晶片是用極度純淨的柴可拉斯基法泡生法等方式長成直徑12英寸(300公釐)的單晶圓柱梨形人造寶石)。這些矽碇被切成晶片大約0.75毫米厚並拋光為非常平整的表面。

一旦晶圓準備好之後,很多工藝步驟對於生產需要的半導體積體電路是必要的。總之,這些步驟可分成四組:

  • 前端製程
  • 後端製程
  • 測試
  • 封裝

製程[編輯]

在半導體器件製造中,不同的生產工序可歸為如下四類:沉積、清除、製作布線圖案、以及電學屬性的調整。

前端製程[編輯]

"前端製程"指的是在上直接形成電晶體。雙極二極體,mos管等

二氧化矽[編輯]

金屬層[編輯]

互聯[編輯]

晶片測試[編輯]

晶片處理高度有序化的本質增加了對不同處理步驟之間度量方法的需求。晶片測試度量裝置被用於檢驗晶片仍然完好且沒有被前面的處理步驟損壞。如果If the number of dies—the 積體電路s that will eventually become chips—當一塊晶片測量失敗次數超過一個預先設定的閾值時,晶片將被廢棄而非繼續後續的處理製程。

器件測試[編輯]

封裝[編輯]

步驟列表[編輯]

有害材料標誌[編輯]

許多有毒材料在製造過程中被使用。這些包括:

工人直接暴露在這些有毒物質下是致命的。通常IC製造業高度自動化能幫助降低暴露於這一類物品的風險。

歷史[編輯]

當線寬遠高於10微米時,純淨度還不像今天的器件生產中那樣至關緊要。旦隨著器件變得越來越整合,無塵室也變得越來越乾淨。今天,工廠內是加壓過濾空氣,來去除哪怕那些可能留在晶片上並形成缺陷的最小的粒子。半導體製造產線裡的工人被要求穿著無塵衣來保護器件不被人類污染。

在利潤增長的推動下,在1960年代半導體器件生產遍及德克薩斯州加州乃至全世界,比如愛爾蘭以色列日本台灣韓國新加坡,且在今天已是一個全球商業。

半導體生產商的領袖大都在全世界擁有產線。英特爾,世界最大的生產商,以及在美其他頂級生產商包括台積電(台灣)、三星(韓國)、德州儀器(美國)、超微半導體(美國)、聯電(台灣)、東芝(日本)、NEC電子(日本)、意法半導體(歐洲)、英飛凌(歐洲)、瑞薩(日本)、索尼(日本),以及恩智浦半導體 (歐洲)在歐洲和亞洲都有自己的裝置。

在2006年,在美國有大約5000家半導體和電子零件生產商,營業額達1650億美元[1]

參考文獻[編輯]

  1. ^ Barnes報告「2006美國工業和市場展望」

外部連結[編輯]

參見[編輯]