电阻

  此条目页的主題是電阻的概念和物理意義。关于實際產生電阻的電子元件，請見「電阻器」。

在電磁學裏，電阻是一個物體對於電流通過的阻礙能力，以方程式定義為

$R\ {\stackrel {def}{=}}\ {\frac {V}{I}}$ ；

其中，$R$ 為電阻，$V$ 為物體兩端的電壓，$I$ 為通過物體的電流。

假設這物體具有均勻截面面積，則其電阻與電阻率、長度成正比，與截面面積成反比。

採用國際單位制，電阻的單位為歐姆（Ω，Ohm）。電阻的倒數為電導，單位為西門子。

假設溫度不變，則很多種物質會遵守歐姆定律，即這些物質所組成的物體，其電阻為常數，不相依於電流或電壓。稱這些物質為「歐姆物質」；不遵守歐姆定律的物質為「非歐姆物質」。

導體與電阻器

一个750-kΩ的电阻器，其外表色碼标识出它的电阻值。电阻表可以用来验证它的电阻值。

像電線一類的物體，具有低電阻，可以很有效率地傳輸電流，這類物體稱為「導體」。通常導體是由像銅、鋁、銀一類的高電導金屬物質製備而成。電阻器是具有特定電阻的電路元件。製備電阻器所使用的原料有很多種；應該使用哪種原料，要視指定的電阻、能量耗散 、準確度、成本等等因素而定。

直流電

處於均勻外電場的均勻截面導體（例如，電線）。

在物理學裏，對於物質的微觀層次電性質研究，會使用到的歐姆定律，以向量方程式表達為

$\mathbf {E} =\rho \mathbf {J}$ ；

其中，$\mathbf {E}$ 是電場，$\rho$ 是電阻率，$\mathbf {J}$ 是電流密度。

在導體內任意兩點g、h，定義電壓為將單位電荷從點g移動到點h，電場力所需做的機械功：

$V_{gh}{\stackrel {def}{=}}\ {\frac {\mathrm {d} w}{\mathrm {d} q}}=\int _{g}^{h}{\mathbf {E} \cdot \mathrm {d} \mathbf {l} }=\rho \int _{g}^{h}{\mathbf {J} \cdot \mathrm {d} \mathbf {l} }$ ；

其中，$V_{gh}$ 是電壓，$w$ 是機械功，$q$ 是電荷量，$\mathrm {d} \mathbf {l}$ 是微小線元素。

假設，沿著積分路徑，電流密度 $\mathbf {J} =J{\hat {\mathbf {l} }}$ 為均勻電流密度，並且平行於微小線元素：

$\mathrm {d} \mathbf {l} =\mathrm {d} l{\hat {\mathbf {l} }}$ ；

其中，${\hat {\mathbf {l} }}$ 是積分路徑的單位向量。

那麼，可以得到電壓：

$V_{gh}=J\rho l$ ；

其中，$l$ 是積分路徑的徑長。

假設導體具有均勻的電阻率，則通過導體的電流密度也是均勻的：

$J=I/a$ ；

其中，$a$ 是導體的截面面積。

電壓 $V_{gh}$ 簡寫為 $V$ 。電壓與電流成正比：

$V=V_{gh}=I\rho l/a$ 。

總結，電阻與電阻率的關係為

$R=\rho l/a$ 。

假設 $J>0$ ，則 $V>0$ ；將單位電荷從點g移動到點h，電場力需要作的機械功 $w>0$ 。所以，點g的電勢比點h的電勢高，從點g到點h的電勢差為 $-V$ 。從點g到點h，電壓降是 $V$ ；從點h到點g，電壓升是 $V$ 。

交流電

假設電線傳導的電流是高頻率交流電，則由於趨膚效應，電線的有效截面面積會減小。假設平行排列幾條電線在一起，則由於鄰近效應，每一條電線的有效電阻會大於單獨電線的電阻。對於普通家用交流電，由於頻率很低，這些效應非常微小，可以忽略這些效應。

測量電阻

四端點量測技術可以用來準確地測量點 2 與點 3 之間的電阻。

主条目：電阻表

電阻計是測量電阻的儀器。由於探針電阻和接觸電阻會造成電壓降，簡單電阻器不能準確地測量低電阻。高準確度測量工作必須使用四端點量測技術（four-terminal measurement technology）。

能帶理論概述

絕緣體的電子能級。

根據量子力学，束縛於原子內部的電子，其能量不能假定為任意數值，而只能占有某些固定能级，在這些能級之間的數值不可能是電子的能量。這些能級可以分為兩组，一組稱為導帶，另一組稱價帶。導带的能級通常比較高一些。處於導帶的電子可以自由地移動於物體內部。

在絕緣體和半導體中，原子之間會相互影響，使得導帶和價帶之間出現禁帶，電子無法處於禁帶。為了要產生電流，必須給予電子相當大的能量，協助電子從價帶，跳過禁帶，進入導帶。因此，即使對這些物質施加很大的电壓，產生的電流仍舊很小。

各種不同材料的電阻

金属

主条目：金屬

金属是一群原子以晶格結構形成的晶體，每個原子都擁有一层（或多层）由电子組成的外殼。處於外殼的电子能脫离原子核的吸引力而到处流动，形成一片電子海，使得金属能夠導电。當施加电勢差（即电压）於金屬兩端時，因為感受到电场的影响，這些自由电子會呈加速運動。但是每當自由電子與晶格發生碰撞，其動能會遭受損失，以熱能的形式將能量釋放，所以，電子的平均移動速度是漂移速度，其方向與電場方向相反。由於漂移運動，會產生電流。在现实中，物质的原子排列不可能為完全规则，因此电子在流动途中會被不按規则排列的原子散射，這是电阻的來源。

給予一個具有完美晶格的金屬晶體，移動於這晶體的電子，其運動等價於移動於自由空間、具有有效質量（effective mass）的電子的運動。所以，假設熱運動足夠微小，週期性結構沒有偏差，則這晶體的電阻等於零。但是，真實晶體並不完美，時常會出現晶體缺陷（crystallographic defect），有些晶格點的原子可能不存在，可能會被雜質侵佔。這樣，晶格的週期性會被擾動，因而電子會被散射。另外，假設溫度大於絕對溫度，則處於晶格點的原子會發生熱震動，因而出現熱震動的粒子——聲子——移動於晶體。溫度越高，聲子越多。聲子會與電子發生碰撞，這過程稱為晶格散射（lattice scattering）。主要由於上述兩種散射，自由電子的流動會被阻礙，晶體因此具有有限電阻 。

半導體和絕緣體

主条目：半導體

對於金屬，費米能級的位置在導帶區域內，因此金屬內部會出現自由的傳導電子。可是，對於半導體，費米能級的位置在能隙區域內。

本質半導體（intrinsic semiconductor）是未被摻雜的半導體，其費米能級大約為導帶最低值與價帶最高值的平均值。當溫度為絕對溫度時，本質半導體內部沒有自由的傳導電子，電阻為無窮大。當溫度開始上升，高於絕對零度時，有些電子可能會獲得能量而進入傳導帶中；假設施加外電場，則這些電子在獲得外電場的能量後，會移動於金屬內部，因而形成電流。

外質半導體（extrinsic semiconductor）是經過摻雜的半導體。靠著捐贈電子給導帶，或價帶接受空穴，外質半導體內部的雜質原子能夠增加電荷載子的密度，從而減低電阻。高度滲雜的半導體的導電性質類似金屬。在非常高溫度狀況，熱生成電荷載子的貢獻會超過雜質原子的貢獻；隨著溫度的增加，電阻會呈指數遞減。

離子液體／電解質

在电解质中，电流是由带电的离子的流动產生，因此液体的电阻很受盐的浓度所影響。譬如蒸餾水是绝缘体，但盐水就是很好的導电体。

在生物体內的细胞膜，离子盐负责电流的传送。细胞膜中的小孔道，稱為離子通道，会选择什么离子可以通过。这直接決定了细胞膜的电阻。

非歐姆元件

電流對電壓線圖。理想電阻器和PN接面二極體的V-I線分別以紅色和黑色顯示。

有些電路元件不遵守歐姆定律，它們的電壓與電流之間的關係（V-I線）乃非線性關係。PN接面二極體是一個顯明範例。如右圖所示，隨著二極體兩端電壓的遞增，電流並沒有線性遞增。給定外電壓，可以用V-I線來估計電流，而不能用歐姆定律來計算電流，因為電阻會因為電壓的不同而改變稱這電阻為「直流電阻」。另外，只有當外電壓為正值時，電流才會顯著地遞增；當施加的電壓為負值時，電流等於零。對於這類元件，V-I線的斜率 ${\mathfrak {r}}$ ，稱為「小信號電阻」（small-signal resistance）、「增量電阻」（incremental resistance）或「動態電阻」（dynamic resistance），定義為

${\mathfrak {r}}\ {\stackrel {def}{=}}\ {\frac {\mathrm {d} V}{\mathrm {d} I}}$ ，

單位也是歐姆，是很重要的電阻量，適用於計算非歐姆元件的電性。

溫度對電阻的影響

溫度对不同物质的电阻会有不同的影晌。

導电体

銅金屬在不同溫度狀況的電阻溫度係數。

假設溫度接近室溫，則典型金屬的電阻 $R$ 通常與溫度 $T$ 成正比：

$R=R_{*}[\alpha (T-T_{*})+1]$ ；

其中，$R_{*}$ 是典型金屬在參考溫度為 $T_{*}$ 時的參考電阻，$\alpha$ 是電阻溫度係數。

$\alpha$ 是電阻變化百分比每單位溫度。每一種物質都有其特定的 $\alpha$ 。實際而言，上述關係式只是近似，真實的物理是非線性的；換句話說，$\alpha$ 本身會隨著溫度的改變而變化。因此，通常會在 $\alpha$ 字尾添加測量時的溫度。例如，$\alpha _{15}$ 是在溫度為15°C時測量的電阻溫度係數；使用 $\alpha _{15}$ 為電阻溫度係數，則參考溫度 $T_{*}$ 為15°C，參考電阻為金屬在參考溫度為15°C時的參考電阻，而且上述關係式只適用於計算溫度在15°C附近的電阻 $R$ 。

稍加排列，這方程式又可表示為

$\alpha ={\frac {R-R_{*}}{R_{*}(T-T_{*})}}$ 。

取 $R-R_{*}\to 0$ 的極限，則可得到微分方程式

$\alpha ={\frac {1}{R_{*}}}\left({\frac {\mathrm {d} R}{\mathrm {d} T}}\right)_{*}$ 。

所以，在溫度為 $T_{*}$ 時，物質的電阻溫度係數是，其電阻對溫度的曲線在溫度為 $T_{*}$ 時的斜率，除以溫度為 $T_{*}$ 時的電阻。

於1860年代，奧古斯土·馬西森想出馬西森定則（Matthiessen's rule）。這定則表明，總電阻率 $\rho$ 可以分為兩個項目：

$\rho =\rho _{d}+\rho _{p}$ ；

其中，$\rho _{d}$ 是由於晶體缺陷而產生的電阻率，$\rho _{p}$ 是由於聲子而產生的電阻率。

$\rho _{d}$ 與金屬內部的缺陷密度有關，是電阻率對溫度的曲線外推至0K時的電阻率。因此，$\rho _{d}$ 與溫度無關。$\rho _{p}$ 等於 $\rho -\rho _{d}$ 。假若缺陷密度不高，則 $\rho _{p}$ 通常與缺陷密度無關。$\rho _{p}$ 與電子跟聲子的碰撞率有關，而碰撞率與聲子密度成正比。假設溫度高於德拜溫度，則聲子密度與溫度成正比，所以，$\rho _{p}$ 與溫度成正比：

$\rho _{p}=C_{h}T$ 、

$\rho =\rho _{d}+C_{h}T$ ；

其中，$C_{h}$ 是比例常數。

這方程式等價於前面電阻與溫度的關係方程式。

假設溫度低於德拜溫度，則電阻與溫度的5次方成正比：

$\rho _{p}=C_{l}T^{5}$ ；

其中，$C_{l}$ 是比例常數。

水銀、白金、黃金在不同溫度狀況的電阻。

如右圖所示，當溫度接近絕對溫度時，黃金和白金的電阻趨向於常數；而當溫度小於4.2K時，水銀的電阻突然從0.002歐姆陡降為10^-6歐姆，成為超導體。

半導体

溫度越高，本質半導體的導電性質越優良，電子會被熱能撞跳至導帶，從而可以自由的移動，也因而留下電洞於價帶，也可以自由的移動於價帶。這電阻行為以方程式表達為

$R=R_{0}e^{-aT}$ ；

其中，$R_{0}$ ，$a$ 是常數。

外質半導體的電阻對於溫度的反應比較複雜。從絕對零度開始，隨著溫度增加，由於載子迅速地離開施主或受主，電阻會急劇降低。當大多數的施主或受主都失去了載子之後，电阻会因載子的遷移率（mobility）下降而隨溫度稍为上升。当溫度升得更高，外質半導體的電阻行為類似本質半導體；施主或受主的載子數量超小於因熱能而產生的載子的數量，於是电阻会再度下降。

绝缘体和电解质

绝缘体和电解质的电阻與溫度一般成非線性關係，而且不同物质有不同的變化，故不在此列出概括性的算式。

應變對電阻的影響

導體的電阻與應變有關。假設施加張力（一種應力的形式，會引起應變，即導體伸長）於導體，則導體感受到張力的部分，其長度會增加，其截面面積會減少。這兩種效應共同貢獻，促使感受到張力的導體部分，其電阻會增加。假設施加壓力，則由於壓縮（方向相反的應變：導體縮短，截面面積增加），導體應變部分的電阻會減少。應用這效應，應變計（strain gauge）可以測量物體的應變。

參看

• 電測量（electrical measurements）
• 熱阻（thermal resistance）
• 薄膜電阻
• 量子霍爾效應，一種新的電阻測量標準。
• 近藤效應

導抗
	實數	虛數	複數	單位
導性	電導（G）	電納（B）	導納（Y）	西門子（S）
抗性	电阻（R）	電抗（X）	阻抗（Z）	歐姆（Ω）

外部連結

• 克萊門森大學車輛電子實驗室網頁：電阻計算機